電暈清洗涉及蝕刻技術領域，電暈處理對金屬的影響完全滿足蝕刻技術后去除硅片表面殘留顆粒的清洗要求。電暈清洗法在蝕刻過程中，稻米顆粒的來源有很多：蝕刻氣體例如，C12、HBr、CF4等具有腐蝕性，硅片腐蝕后表面會產(chǎn)生一定數(shù)量的顆粒。反應室的石英罩在電暈轟擊下也會產(chǎn)生石英顆粒；長時間蝕刻時反應室內襯也會產(chǎn)生金屬顆粒?？涛g后硅片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件的損壞。因此，對刻蝕過程中顆粒的控制是非常重要的。。

由柔性覆銅板（以下簡稱“柔性覆銅板”）制成的柔性印制電路在該領域發(fā)揮著越來越重要的作用。柔性覆銅板(FCCL)是由金屬導體材料和介質基底材料通過膠粘劑粘合而成的復合材料。該產(chǎn)品可任意纏繞成軸狀而不折斷其中的金屬導體或介電基片。對于剛性覆銅板，金屬表面電暈處理設備即使很薄，其介電基體材料在外力彎曲時也容易斷裂。大多數(shù)撓性覆銅板的總厚度小于0.4mm，通常在0.04-0.25mm之間。

但不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質。光刻膠的去除過程中常采用電暈清洗。在電暈反應體系中引入少量氧氣，電暈處理對金屬的影響在強電場作用下，氧氣產(chǎn)生電暈，使光刻膠迅速氧化為揮發(fā)性氣體狀態(tài)，抽走物質。該清洗技術操作方便，效率高，表面清潔，無劃痕，有利于保證產(chǎn)品質量。而且它不需要酸、堿和有機溶劑，因此越來越受到人們的重視。。

3.氣體產(chǎn)生的自由基和離子具有很高的活性，金屬表面電暈處理設備其能量足以打破幾乎所有的化學鍵，在任何暴露的表面上引起化學反應。電暈中粒子的能量一般在幾到幾十電子伏特左右，大于高分子材料的結合鍵能（幾到十電子伏特），可以完全打破有機大分子的化學鍵，形成新的鍵；但遠低于高能放射性輻射，僅涉及材料表面，不影響基體性能。電暈可以通過直流或高頻交流電場產(chǎn)生。

金屬表面電暈處理設備

同時對材料表面產(chǎn)生影響，可促使吸附在表面的氣體分子解吸或分解，也有利于引發(fā)化學反應；當材料表面帶負電時，帶正電荷的離子會加速對其的沖擊，濺射效應會去除附著在表面的顆粒狀物質；血漿中自由基的存在對清洗具有重要意義。由于自由基易與物體表面發(fā)生化學鏈式反應，產(chǎn)生新的自由基或進一步分解，最后可能分解成易揮發(fā)的小分子；紫外線具有較強的光能和穿透能力，可穿透材料表面深達數(shù)微米，使附著在表面的物質分子鍵斷裂分解。

考慮到對環(huán)境的影響、原材料的消耗以及未來的發(fā)展，干洗明顯優(yōu)于濕洗。其中，電暈清洗是發(fā)展較快且優(yōu)勢明顯的一種。電暈是指電離氣體，是由電子、離子、原子、分子或自由基組成的集合體。

相信在不久的將來，電暈清洗設備和技術將以其在健康、環(huán)保、效益、安全等諸多方面的優(yōu)勢逐步取代濕式清洗技術，特別是在精密零件清洗、半導體新材料研究和集成電路器件制造等方面，電暈清洗具有廣闊的應用前景。我們對電暈清洗技術進行了一定程度的研究，希望能與各國同行就干洗技術進行有益的探討和交流。。

運動動能和振動動能以溫和的方式加熱表面，解離和激發(fā)態(tài)產(chǎn)生的自由基在平移或振動中傳遞熱量。如果能量超過閾值，就可能引起濺射，并伴隨自由基團簇的產(chǎn)生。除濺射過程外，電暈中的自由基是脫除碳氫化合物的重要因素。。很多客戶會詢問電暈設備的溫度，主要是擔心在處置產(chǎn)品或部件時，電暈設備表面會因電暈溫度過高而受損。

金屬表面電暈處理設備

簡單來說，金屬表面電暈處理設備主動式清洗臺將多個晶圓一起清洗，優(yōu)點是設備成熟，生產(chǎn)率高，而單片晶圓清洗設備逐片清洗，優(yōu)點是清洗精度高，背面、斜面、邊緣都可以進行有益清洗，一起防止晶圓之間的穿插污染。45nm之前，主動清潔臺可以滿足清潔要求，現(xiàn)在仍在使用；而45以下的工藝節(jié)點則依賴于單片晶圓清洗設備來滿足清洗精度要求。在工藝節(jié)點數(shù)量不斷減少的情況下，單片清洗設備是未來可預見技術下清洗設備的主流。