ICP蝕刻輝光放電產(chǎn)生的活性粒子在基板表面擴散，ICP蝕刻機器引起化學反應，是揮發(fā)性產(chǎn)物，來不及解吸沉積在基板表面。此外，一些離子與基板發(fā)生物理碰撞，破壞了表面網(wǎng)格排列，并在基板表面產(chǎn)生孔洞，降低了材料的表面質(zhì)量。同時，由于硅和碳化硅的存在，原始襯底表面的結構并不均勻。等離子處理器在處理蝕刻材料表面時，兩相邊界、孔洞和凹坑的不均勻性導致光在材料表面發(fā)生散射，這也增加了材料對光的吸收。

自1970年代以來，ICP蝕刻機器非金屬固體（玻璃、纖維、塑料等）低壓等離子體的表面處理和改性技術也得到了迅速發(fā)展。等離子發(fā)生器蝕刻ICP蝕刻工藝廣泛應用于硅碳蝕刻領域等離子發(fā)生器蝕刻ICP蝕刻工藝廣泛應用于硅碳蝕刻領域：化學反應燒成碳碳復合材料作為一種新型非金屬材料（RB-SIC） )具有強度高、比剛度大、導熱系數(shù)高、膨脹系數(shù)小等特點。該標準具有高分辨率、寬視場和高質(zhì)量的表面形貌。

ICP蝕刻工藝主要用于加工制造SIC半導體和微機電系統(tǒng)（MEMS）器件，ICP蝕刻機器表面質(zhì)量蝕刻，提高SIC微波功率器件的性能質(zhì)量。 ICP腐蝕過程的完整腐蝕過程可分為三個步驟： (1) 腐蝕性物質(zhì)的吸附，(2) 揮發(fā)性物質(zhì)的形成，(3) 解吸。這個過程包括化學和物理過程。蝕刻氣體以感應耦合方式經(jīng)歷輝光放電以產(chǎn)生反應性基團。例如，中性粒子和電子器件等中性粒子與被蝕刻材料表面的原子發(fā)生化學反應，產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)。

-封裝等離子清洗劑處理可以優(yōu)化引線鍵合-封裝等離子清洗劑處理可以優(yōu)化引線鍵合：在集成IC封裝的制造中-封裝等離子清洗劑工藝選擇是唯一的材料表面、原材料表面取決于后續(xù)工藝對性、化學性的要求成分、表面污染等。后半導體工藝是由指紋、助焊劑、焊錫、劃痕、污染、微塵、樹脂殘留物、自熱氧化、有機物等引起的。 , 在設備和材料表面形成不同類型的污染。下面是這個過程的應用程序。

ICP蝕刻機器

-在封裝的等離子清洗機、集成IC、MEMS封裝中，電路板、基板和集成IC之間有大量的引線鍵合，而引線鍵合仍然是集成IC焊盤與外部引線之間的連接，一種重要的方法。 , 方法 提高引線鍵合強度一直是行業(yè)研究的問題。射頻驅(qū)動的低壓等離子清洗機是一種有效且低成本的清洗方法，可有效去除氟化物、氫氧化鎳、（機械）溶劑殘留、環(huán)氧樹脂溢出、材料氧化層、等離子清洗粘接。鍵合拉力對提高引線鍵合強度有很大作用。

集成 IC 接頭可以在引線連接之前通過氣體等離子方法進行清潔，從而提高鍵合強度和良率。表 3 顯示氧氣和氬氣等離子清洗技術可用于有效提高抗張強度，同時保持較高的 CPK 值。在調(diào)查等離子清洗機的效率時，一些數(shù)據(jù)表明，不同公司的不同產(chǎn)品類型正在使用等離子清洗機。這增加了鍵合線的強度，同時也提高了設備??的可靠性。

低溫等離子清洗機用于印刷和噴墨行業(yè)，包括在塑料、玻璃、金屬和其他復合材料的表面進行絲印。印刷前對低溫寬幅等離子清洗機進行預處理可以提高其吸附和滲透能力。油墨材料表面。 IC卡標簽、日化容器。線材在打碼前經(jīng)過等離子預處理，以改善墨水吸附。在塑料行業(yè)，低溫寬等離子清洗劑：塑料和橡膠、金屬、玻璃等預處理可以提高表面附著力。本文將介紹低溫寬幅等離子清洗機的應用，希望對您有所幫助。如有任何疑問，請訪問官方網(wǎng)站！。

UV OPP PP PET 金銀卡上光，貼合紙箱或紙箱前進行表面處理，經(jīng)過低溫寬幅等離子機處理后，可以增加粘盒硬度，省去開封的麻煩。海藻。還可以減少粘合劑的使用量，有效降低成本。塑料、玻璃、金屬、復合材料等表面絲網(wǎng)印刷，移印前用低溫寬幅等離子清洗機進行預處理，可以提高材料表面對油墨的吸附和滲透。 IC卡標簽、日化容器。線碼前的等離子預處理提高了墨水的吸附性。

ICP蝕刻機器

當然，ICP蝕刻機臺優(yōu)勢即使在高壓下，低溫等離子體也可以通過不產(chǎn)生熱效應的短脈沖放電模式，例如電暈放電（CORONA DISCHARGE）、介質(zhì)阻擋放電（DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE，DBD）和滑動電弧放電（GLIDE電弧放電）。增加。 ) 或等離子弧)。大氣壓力下的輝光放電技術目前已成為世界各國研究的熱點。

MASSINES 小組對氦和氮的 APGD 進行了實驗研究和數(shù)值模擬，ICP蝕刻除了測量施加的電壓和放電電流外，還使用曝光時間僅為 10 NS 的 ICCD 相機拍攝了時間分辨放電圖像，并放電. 記錄了使用等離子體發(fā)射光譜的時空分解光譜，結合放電過程的一維數(shù)值模擬，氮氣中的均勻放電仍屬于湯森放電，均勻放電為氦氣，實際輝光放電，或者是亞輝光放電。