plasma設(shè)備的物理清洗工藝是由哪些氣體組成的，等離子物理清洗工藝是氬等離子清洗。氬自身是稀有氣體，等離子體的氬氣不容易與表層形成反應(yīng)，只是根據(jù)離子轟擊來凈化表層。
一般的等離子化學(xué)清洗工藝是用氧等離子清洗。等離子形成的自由基十分活潑，容易與碳?xì)浠衔镄纬煞磻?yīng)，形成二氧化碳、一氧化碳、水等揮發(fā)性物質(zhì)，去除表層污染物。
不同工藝氣體對(duì)清洗效果的影響：
1、plasma設(shè)備和氬氣
在物理等離子清洗過程中，氬形成的離子攜帶能量轟擊工件表層，剝離表層的無機(jī)污染物。在集成電路封裝過程中，氬離子轟擊焊盤表層，轟擊去除工件表層的納米污染物，形成的氣體污染物被真空泵抽走。這種清洗工藝可以提高工件表層的活性，提高包裝中的組合性能。氬離子的優(yōu)勢(shì)是它是一種物理反應(yīng)，清洗工件表層不容易帶來氧化物；弊端是工件材料可能會(huì)形成過度腐蝕，但可以根據(jù)調(diào)整清洗工藝參數(shù)來解決。
2、plasma設(shè)備和氧氣
氧離子與有機(jī)污染物機(jī)污染物反應(yīng)，形成二氧化碳和水，清洗速率和更多的清洗選擇是化學(xué)等離子體清洗的優(yōu)勢(shì)。弊端是工件可能會(huì)形成氧化物，所以氧離子不允許在引線鍵合應(yīng)用中出現(xiàn)。
3、plasma設(shè)備和氫
氫離子形成還原反應(yīng)，去除工件表層的氧化物。建議采用等離子清洗工藝，以確保氫的安全。24292