等離子清洗工藝技術(shù)是利用電離的等離子體對(duì)鍵合區(qū)表面進(jìn)行清理，福州真空等離子表面活化定制實(shí)現(xiàn)分子水平污漬的去除（一般厚度在3～30 nm），提高表面的活性，進(jìn)而提高鍵合強(qiáng)度及長(zhǎng)期可靠性。然而，在等離子清洗過程中，激發(fā)產(chǎn)生的離子由于電極電勢(shì)或等離子體自偏壓的作用加速向電路組件和芯片表面運(yùn)動(dòng)，可能會(huì)因離子轟擊造成器件的物理損傷。
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3)低溫等離子處理器在LED密封前:廢棄物在LED注入環(huán)氧橡膠時(shí)，福州真空等離子表面活化定制氣泡形成速度過快，降（低）產(chǎn)品質(zhì)量和壽命，密封時(shí)不產(chǎn)生氣泡也值得關(guān)注。射頻等離子體清洗后，晶片與基片緊密結(jié)合，大大降（低）氣泡形成，大大提高散熱和發(fā)光率。 然而，整個(gè)發(fā)光二極管行業(yè)包裝中使用的真空低溫等離子處理器數(shù)量相對(duì)較多，基本上是在線的。原因是成本相同，在線等離子清洗機(jī)生產(chǎn)能力大，效率高，性價(jià)比高。
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顯著提高鍵合性能和強(qiáng)度，同時(shí)避免引線框架的二次人為污染，并避免因腔內(nèi)多次清潔而導(dǎo)致芯片損壞。芯片封裝產(chǎn)業(yè)是國內(nèi)集成電路芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的第一大產(chǎn)業(yè)。封裝技術(shù)已成為芯片尺寸不斷縮小、計(jì)算速度不斷提高的重要技術(shù)。質(zhì)量和成本受包裝過程的影響。功能尺寸、面積、包含的晶體管數(shù)量及其在未來芯片技術(shù)中的發(fā)展在發(fā)展軌跡上，IC封裝工藝需要向小尺寸、低成本、個(gè)性化、環(huán)保和早期協(xié)同的方向發(fā)展。
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