隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,晶圓等離子體蝕刻機對工藝技術(shù)的要求越來越高,特別是對半導(dǎo)體晶圓的外觀質(zhì)量要求越來越嚴(yán)格,其主要原因是晶圓片外觀顆粒和金屬雜質(zhì)的污染會嚴(yán)重影響設(shè)備的質(zhì)量和良率,在目前的集成電路生產(chǎn)中,晶圓片外觀的污染問題,仍有50%以上的材料流失。在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,幾乎每一道工序都需要清洗,晶圓片清洗質(zhì)量嚴(yán)重影響著設(shè)備的功能。

晶圓等離子體蝕刻機

2)AR是一種罕見的氣體。被電離的離子體不容易與底物發(fā)生化學(xué)變化。適用于等離子清洗基材表面的物理清洗和表面鈍化處理。較大的特點是表面清洗不易引起高精度電子儀器的表面氧化。因此AR等離子清洗機廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、晶圓制造等行業(yè)。等離子體處理器中電離的AR等離子體呈暗紅色。在相同的放電環(huán)境下,晶圓等離子體表面處理氫氣和氮氣的等離子體會呈現(xiàn)紅色,而AR等離子體的亮度會低于氮氣,高于氫氣,所以更容易區(qū)分。。

環(huán)面帶與結(jié)構(gòu)板之間有2mm的間隙。由于在晶圓和帶的底部沒有產(chǎn)生或存在等離子體,晶圓等離子體蝕刻機所以在晶圓表面有底部切割和分層結(jié)構(gòu),沒有濺射和帶沉積。通過縮小環(huán)邊緣和底部電極之間的間隙,然后得到2mm或更少的擴展面積,你可以得到二次等離子體,就像其他系統(tǒng)一樣,而不是初級等離子體。持久性涂料提高持久性涂料的附著力,通常很難對滿足嚴(yán)格環(huán)境要求的某些材料實施足夠的保護(如TPU)。

這些污染物的去除通常在清洗過程的第一步進行,晶圓等離子體蝕刻機主要采用硫酸和過氧化氫等方法。3、金屬半導(dǎo)體工藝中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質(zhì)的主要來源是:各種容器、管道、化學(xué)試劑,以及半導(dǎo)體晶圓加工,在形成金屬互連的同時,也產(chǎn)生各種金屬污染。這種雜質(zhì)的去除通常是通過化學(xué)方法進行的,通過各種試劑和化學(xué)品配制的清洗液與金屬離子反應(yīng),金屬離子形成絡(luò)合物,脫離晶圓表面。

晶圓等離子體蝕刻機

晶圓等離子體蝕刻機

如果粘接區(qū)有污染物,會嚴(yán)重削弱粘接區(qū)的粘接性能,金線的粘接區(qū)不易焊接。即使焊接,在未來電路滿負荷運行時,也會造成鍵合合金球與芯片之間分層,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的功能失效。目前,污染鍵合區(qū)的主要物質(zhì)是氧化物和有機殘留物,這些污染物包括FAB制造過程中產(chǎn)生的氧化物和氟化物殘留物、長期暴露于空氣中的表面氧化物、晶圓裝載過程中的環(huán)氧膠體污染以及環(huán)氧膠體固化過程中的有機殘留物。

半導(dǎo)體污染雜質(zhì)和分類半導(dǎo)體生產(chǎn)最終需要一些有機和無機的參與,另外,由于過程總是在凈化室被人參與,所以半導(dǎo)體晶圓難免受到各種雜質(zhì)的污染。按照污染物的來源和性質(zhì),可以大致分為顆粒物、有機物、金屬離子和氧化物。微粒粒子主要是一些聚合物、光阻劑和蝕刻雜質(zhì)。這些污染物主要依靠范德華引力吸附在晶圓表面,并影響光刻過程中的幾何圖案和電學(xué)參數(shù)的組成。

PTFE等離子體孔膜界面粘接性能表面處理:PTFE微孔膜具有穩(wěn)定的化學(xué)性能,耐高溫、耐腐蝕、耐水、耐稀油、耐高溫、高濕度、高及特殊機中的氣液具有良好的過濾性能,可廣泛應(yīng)用于冶金、化工、煤炭、水泥等行業(yè)的除塵過濾,是一種耐高溫的薄膜材料復(fù)合過濾材料。但由于其極低的表面活性和優(yōu)異的無粘度性,使其難以與基體復(fù)合,從而限制了其應(yīng)用。

玻璃表面等離子處理設(shè)備清洗提高表面親水性由于等離子清洗機是一種“干式”清洗工藝,處理后的材料可以立即進入下一步的加工工藝,因此,等離子清洗機是一種穩(wěn)定高效的工藝。由于等離子體的高能量,可以分解玻璃材料表面的化學(xué)物質(zhì)或有機污染物,并有效去除所有可能干擾附著力的雜質(zhì),提高玻璃的表面能和表面的親水性,使玻璃材料的表面滿足后續(xù)工藝所需的理想條件。

晶圓等離子體蝕刻機

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等離子體處理器也屬于干洗的方法,與傳統(tǒng)的濕法凈化裝置相比,等離子體處理器有簡單的過程,操作簡單、可控性高、精度高、等,清理表面沒有宿醉,相比之下,濕洗不干凈會有任何殘留,如果使用大量溶劑,晶圓等離子體蝕刻機對人體和環(huán)境都是有害的。等離子體清洗機在使用過程中有兩個清洗過程:化學(xué)變化和物理反應(yīng)。