在等離子體產(chǎn)生過程中，電子電路等離子體蝕刻高頻放電產(chǎn)生的瞬時高能打開一些有害氣體分子的化學(xué)鍵，使其分解成簡單的原子或無害的分子。(2)等離子體中含有大量高能電子粒子，離子和激發(fā)態(tài)具有很強的氧化性自由基，活性粒子的平均能量高于氣體分子的鍵能，它們經(jīng)常與有害氣體分子發(fā)生碰撞，打開氣體分子鍵生成單原子分子和固體粒子，并同時產(chǎn)生大量·OH、H2O、·O等自由基與O3及有害氣體分子反應(yīng)生成無害產(chǎn)物。。

在等離子體中，電子電路等離子體蝕刻由于電子比重粒子移動得快，絕緣體表面產(chǎn)生負電荷的凈積累，即絕緣體表面相對于等離子體區(qū)域具有負電位。表面區(qū)域的負電位會排斥向表面移動的后續(xù)電子，吸引正離子，直到絕緣子表面的負電位達到一定值，使離子流與電子流相結(jié)合此時絕緣子表面電位Vf趨于穩(wěn)定，Vf與等離子體電位(VP-VF)的差值保持不變。此時，絕緣體表面附近有一空間電荷層，即離子鞘。

等離子體清洗劑是利用這些活性組分的性質(zhì)對樣品表面進行處理，電子電路等離子體蝕刻設(shè)備從而達到清洗、鍍膜等目的。等離子體是一種電離氣體，其正離子和電子的密度近似相等。由離子、電子、自由基、光子和中性粒子組成的它是物質(zhì)的第四種狀態(tài)。人們普遍認為物質(zhì)有三種狀態(tài):固體、液體和氣體。這三種狀態(tài)是根據(jù)物質(zhì)中所含的能量來區(qū)分的。氣態(tài)是物質(zhì)三種狀態(tài)中能量最高的狀態(tài)。給氣體物質(zhì)增加更多的能量，例如加熱它，就會形成等離子體。

等離子體設(shè)備主要是利用蒸汽電離產(chǎn)生等離子體，電子電路等離子體蝕刻設(shè)備其中含有電子、離子、官能團和紫外線等高能成分，達到物質(zhì)表面(活性)的目的。

電子電路等離子體蝕刻：

低溫等離子體的應(yīng)用領(lǐng)域低溫等離子體的物理和技術(shù)經(jīng)歷了從20世紀60年代初的空間等離子體研究到20世紀80年代和90年代的材料取向研究的重大轉(zhuǎn)變。微電子科學(xué)、環(huán)境科學(xué)、能源與材料科學(xué)的快速發(fā)展為低溫等離子體科學(xué)的發(fā)展帶來了新的機遇與挑戰(zhàn)。目前，低溫等離子體的物理和應(yīng)用已經(jīng)成為具有全球影響力的重要科學(xué)和工程，對高技術(shù)經(jīng)濟的發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造有著重大的影響。

因此，在物理沖擊中，離子的能量場越高，沖擊越大，所以物理反應(yīng)是主要的空氣射頻等離子體表面處理設(shè)備是由單電極等離子體處理器產(chǎn)生的低溫等離子體，其離子和電子能量可達7-10eV。

與等離子涂層或等離子蝕刻相比，工件表面不被去除或涂層，而只是修飾。使用大氣等離子體的超精密表面清洗是去除有機、無機和微生物表面污染物以及強附著粉塵顆粒的過程。它在處理過的表面上是高效和溫和的。在較高的強度下，它能夠去除薄的表面邊界層，交聯(lián)表面分子，甚至切割硬質(zhì)金屬氧化物。等離子清洗提高濕度和附著力，支持廣泛的工業(yè)過程，準備粘結(jié)，涂膠，涂層和油漆。

氣體的特性不同，它們用來清潔污染物也必須有不同的選擇。當一種氣體滲透到一種或多種額外的氣體，這些元素的組合產(chǎn)生所需的蝕刻和清潔效果。在等離子體等離子體離子或高活性原子的幫助下，表面污染物會被撞掉或形成揮發(fā)性氣體，然后被真空系統(tǒng)帶走，達到清潔的表面目的。等離子體形成過程中，氧氣、氮氣、甲烷、水蒸氣等氣體分子在高頻電場的低壓下，在輝光放電的條件下，可以分解成加速運動的原子和分子。

電子電路等離子體蝕刻設(shè)備：

在亞微米時代，電子電路等離子體蝕刻四乙基硅酸鹽氧化物(TEOS氧化物)直接沉積在柵上，蝕刻停止在源漏硅上，形成側(cè)壁。這種方法的問題在于，它會造成硅的損傷。所以當裝置減少到一定程度時，泄漏就會不可控。m時代，由于TEOS氧化硅側(cè)壁不能滿足工藝需要，后來又開發(fā)了氮化硅側(cè)壁。Si3n4側(cè)壁也稱為Si3n4側(cè)壁或Si3n4 / Si3n4 (Oxide SiN, ON)側(cè)壁，因為蝕刻時可以停在氧化硅層下面，所以不影響硅。

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