工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會(huì)被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達(dá)到清洗的目的和改善表面滲透和附著力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，二氧化硅等離子體表面清洗不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進(jìn)行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長(zhǎng)，穿透性和滲透性強(qiáng)，可以用細(xì)管和盲孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理。

等離子體清洗過程可以獲得真正的清潔,%與等離子體清洗相比,水清洗通常是一個(gè)稀釋過程,與二氧化碳清洗技術(shù)相比,等離子體清洗不需要使用其他材料,與噴砂清洗相比,等離子體清洗可以完整的處理材料的表面結(jié)構(gòu),而且不只是表面突出，二氧化硅等離子體刻蝕可在線集成，無(wú)需額外空間，運(yùn)行成本低，預(yù)處理工藝環(huán)保。等離子清洗機(jī)的優(yōu)點(diǎn):1。環(huán)保技術(shù)，等離子體作用過程為氣固共格反應(yīng)，不消耗水資源，無(wú)需添加化學(xué)藥劑，對(duì)環(huán)境無(wú)污染。

等離子體清洗機(jī)對(duì)玻璃表面的清洗，二氧化硅等離子體表面清洗除機(jī)械作用外，主要是活性氧的化學(xué)作用，Ar*處于等離子體的激發(fā)態(tài)，使氧分子被激發(fā)進(jìn)行激發(fā)被氧原子染色的油和硬脂酸主要由碳?xì)浠衔锝M成，被活性氧氧化產(chǎn)生二氧化碳和水，將油從玻璃表面除去。玻璃手機(jī)面板在化學(xué)回火前的清洗過程非常復(fù)雜。針狀電極預(yù)電離產(chǎn)生的非平衡Ar/O2大氣壓等離子體射流是一個(gè)簡(jiǎn)單的清洗過程。用接觸角計(jì)測(cè)定了水、潤(rùn)滑油與硬脂酸在玻璃板上的接觸角。

因?yàn)橛惭谀油ǔＪ嵌趸?和CF4 CHF3常見腐蝕聚合物可以被創(chuàng)建,并積累了保護(hù)層和層間介電層的側(cè)壁上,如果讓聚合物沉積在墻上,隨后主要腐蝕將通過這個(gè)異常圖像底部的洞,在橫條的頂部至底部成為通孔，二氧化硅等離子體表面清洗通孔側(cè)壁的粗糙度增大，嚴(yán)重影響后續(xù)電鍍充銅的完整性。此外，電遷移(EM)作為一種缺陷，容易發(fā)生，從而影響電路的可靠性。

二氧化硅等離子體表面清洗：

不同于濕式化學(xué)處理工藝，等離子清洗機(jī)處理是干式處理工藝，如何理解呢?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),等離子清洗機(jī)是通常使用的氣體,和普通氣體,如氧氣、氮?dú)?、壓縮空氣,不需要使用有機(jī)化學(xué)解決方案,和無(wú)害的治療主要是由二氧化碳和其他氣體,氣體反應(yīng)物和生產(chǎn)內(nèi)容,也不需要干燥,因此，等離子清洗機(jī)處理廢水無(wú)廢氣是可以實(shí)現(xiàn)的。

有沒有辦法去除手機(jī)屏幕表面的雜質(zhì)，提高其外觀的粗糙度，又不會(huì)影響外觀的正常使用?此時(shí)，等離子體清潔器出現(xiàn)。1879年，克魯克斯首次發(fā)現(xiàn)了物質(zhì)的第四種狀態(tài)，即等離子體的存在。等離子體清洗機(jī)通過等離子體中含有的電子、離子和高活性自由基的反應(yīng)，這些粒子是非常簡(jiǎn)單和表面污染物反應(yīng)的產(chǎn)物，最終組成的二氧化碳和水蒸氣被排出，以達(dá)到添加粗糙外觀和表面清潔的效果。

通過活化、接枝和表面涂層對(duì)聚合物和生物材料進(jìn)行表面刻蝕和活化。常規(guī)的清洗方法無(wú)法清洗材料的表面膜，留下一層很薄的雜質(zhì)，溶劑清洗就是一個(gè)典型的例子。等離子清洗機(jī)是用等離子體對(duì)材料表面進(jìn)行轟擊，輕輕地、干凈地擦洗表面。等離子清洗可以去除隱形的油膜、微小的鐵銹和其他用戶附著在醫(yī)療器械上的解毒和殺菌產(chǎn)品，已得到廣泛認(rèn)可。等離子體清洗機(jī)治療在同時(shí)清洗和解毒醫(yī)療器械方面具有很大的潛力。

第二年，他獲得了半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)頒發(fā)的SEMI獎(jiǎng)，因?yàn)樗⒘税雽?dǎo)體行業(yè)的等離子體蝕刻標(biāo)準(zhǔn)。1993年底，他被提升為Applied Materials副總裁，負(fù)責(zé)管理全球商業(yè)運(yùn)營(yíng)。1994年，他因多年來(lái)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的貢獻(xiàn)而獲得半終身成就獎(jiǎng)。林杰克和王寧國(guó)博士入選美國(guó)硅工程協(xié)會(huì)名人堂。等離子體刻蝕設(shè)備是保證高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品批量生產(chǎn)的基石。

二氧化硅等離子體表面清洗：

根據(jù)要蝕刻的材料類型、所用氣體的性質(zhì)和所需的蝕刻類型，二氧化硅等離子體刻蝕等離子體蝕刻有多種類型。操作溫度和壓力對(duì)等離子體刻蝕也有重要影響。工作溫度和壓力的微小變化會(huì)顯著改變電子的碰撞頻率。RIE(反應(yīng)離子蝕刻)使用物理和化學(xué)機(jī)制來(lái)實(shí)現(xiàn)單向、高級(jí)的表面蝕刻。由于RIE過程結(jié)合了物理和化學(xué)相互作用，它比單獨(dú)的等離子體蝕刻要快。高能離子碰撞將電子從等離子體中剝離出來(lái)，并允許使用帶正電的等離子體進(jìn)行表面處理。。

真空等離子清洗機(jī)的工作過程如下:將清洗干凈的工件送入真空室固定，二氧化硅等離子體刻蝕設(shè)定工作參數(shù)，啟動(dòng)運(yùn)行裝置，抽真空，即真空室中的標(biāo)準(zhǔn)真空度為10PA左右。將等離子清洗氣體引入真空室，保持其壓力在Pa。根據(jù)物料清洗的不同，分貝可以選擇氧氣、氫氣、氬氣或氮?dú)狻Ｔ谡婵帐业碾姌O與接地裝置之間施加高頻電壓，使氣體被擊穿，通過輝光放電電離產(chǎn)生等離子體。真空室中產(chǎn)生的等離子體完全包裹在被加工工件中，清洗操作開始。