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由多晶硅柵極蝕刻引起的硅損傷（Si 凹痕）通常在沒(méi)有腐蝕點(diǎn)的情況下通過(guò)透射電子顯微鏡發(fā)現(xiàn)。原因與蝕刻選擇性沒(méi)有直接關(guān)系。多晶硅柵極蝕刻需要嚴(yán)格控制體硅損傷，遼寧等離子清洗機(jī)找哪家因?yàn)楣钃p傷會(huì)導(dǎo)致器件飽和電流降低。由于有效氧化物厚度 (EOT)，低于 65 nm 的工藝將柵極氧化物層減薄至 1-2 納米。在 HBr / O2 等離子體中，由于氫離子的質(zhì)量，HBr 會(huì)分解氫離子。
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各種聚合物塑料、陶瓷、玻璃、聚氯乙烯、紙張、金屬和其他材料經(jīng)常用旋轉(zhuǎn)噴射等離子清潔器處理以提高表面活性。這樣的處理過(guò)程改進(jìn)和改進(jìn)了產(chǎn)品材料的表面張力特性。它更適合工業(yè)涂料、粘合和其他加工要求。例如LCD絲印涂層、外殼和按鍵表面噴油絲印。請(qǐng)稍等。汽車(chē)行業(yè)燈罩、剎車(chē)片、車(chē)門(mén)密封條的前貼處理，機(jī)械行業(yè)金屬零件的精細(xì)無(wú)害清洗，鏡片前鍍膜處理，各種工業(yè)材料之間的附著力和密封前處理。。
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