GaCl3 和 AsCl3 都是高度揮發(fā)性的，PFCplasma刻蝕機(jī)但 AlCl3 的揮發(fā)性較低，會(huì)影響進(jìn)一步的蝕刻。氟的用量會(huì)影響 InAIA 的蝕刻速率。增加含氟氣體的流速會(huì)顯著改變銦鋁砷和銦鎵砷的選擇性。使用 CHF3 和 BCl3 氣體的組合，或 CF4 和 BCl3 的選擇性，增加了一倍以上。壓力和高頻功率對(duì)兩種氣體組合蝕刻速率的影響：壓力越高，蝕刻速率越低。

根據(jù)等離子的產(chǎn)生機(jī)理，PFCplasma刻蝕機(jī)等離子清洗方式主要有直流等離子清洗、高頻等離子清洗、微波等離子清洗三種，在實(shí)際應(yīng)用中必須根據(jù)具體情況進(jìn)行選擇和使用。 等離子清洗法的優(yōu)點(diǎn)是采用等離子清洗，不污染環(huán)境，不需要清洗液，清洗效果好，清洗效率高。它還可以激活物體的表面并增加表面。提高潤(rùn)濕性和附著力。加強(qiáng)。

在大型集成電路和分立器件行業(yè)，PFCplasma刻蝕機(jī)等離子清洗技術(shù)常用在以下幾個(gè)重要步驟： 1.用氧等離子體處理剝離和硅晶片以去除光刻膠?；旌想娐锋I合前的等離子清洗； 4. 5、粘接前等離子清洗； 6. 金屬化陶瓷管封蓋前等離子清洗；等離子清洗技術(shù)設(shè)備的可控性和重現(xiàn)性體現(xiàn)在設(shè)備使用中具有經(jīng)濟(jì)、環(huán)保、高效、可靠性高、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。

對(duì)于高檔藥盒、化妝品盒等產(chǎn)品，PFCplasma刻蝕機(jī)去除涂層的地方，只有UV涂層和少量的紙面涂層，一般廠家用普通膠水不容易貼上盒子，所以盒子的附著力不會(huì)太低。貼合和開膠條件比UV產(chǎn)品好，但貼合謀生的方法不能用于小盒產(chǎn)品，造成切割線工藝問題，成本會(huì)更高。刀。

PFCplasma表面處理機(jī)器

這是新的歐盟政策標(biāo)準(zhǔn)對(duì) GaN 半導(dǎo)體產(chǎn)品在消費(fèi)市場(chǎng)上的成功與電源適配器和音頻、電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室中 GaN 技術(shù)的更新和重啟以及數(shù)據(jù)中心的能源效率的結(jié)果。 GaN 技術(shù)可以有效地解決將功率密度預(yù)期與產(chǎn)品可靠性相結(jié)合的關(guān)鍵行業(yè)成就。到 2021 年，GaN 技術(shù)將進(jìn)一步展示其在汽車、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等各種電力依賴市場(chǎng)中從早期采用到堅(jiān)固支架的成功過渡。

PFCplasma刻蝕機(jī)