上下電極(BE、Metal C、 Metal D)和阻變層都是在邏輯后段工藝中會使用到的材料；阻變層的HfO2，側(cè)向附著力 電極材料TiN、Ti 和W都是邏輯工藝常用材料，無交叉污染問題。 目前阻變存儲器仍多使用等離子清洗機(jī)RIE/ICP蝕刻，面臨著存儲單元蝕刻剖面過于傾斜，金屬電極蝕刻后嚴(yán)重的側(cè)向腐蝕等問題。后續(xù)的工藝優(yōu)化(功率脈沖等)或新反應(yīng)氣體的引入應(yīng)該可以取得更多的進(jìn)步。

見進(jìn)一步加大氯氣流量，滑移率與側(cè)向附著力的關(guān)系會使鍺的合金側(cè)向蝕刻加快形成底部內(nèi)收的形貌，這也表明高活性化學(xué)蝕刻氣體對鍺的蝕刻更加有效同時(shí)不會損失過多的光阻，以達(dá)到保證側(cè)壁輪廓曲線的效果。 另一類是以含氟氣體為主的蝕刻，主要蝕刻劑是CF4，產(chǎn)物為GeF4較易揮發(fā)。我們可以得到非常平滑的圖形形貌。加人氧氣可以調(diào)節(jié)鍺對其合金的選擇比，高達(dá)到434。

刻蝕底切是由化學(xué)品的不定向刻蝕引起的，側(cè)向附著力一旦發(fā)生向下刻蝕，則允許側(cè)向刻蝕，底切越小，質(zhì)量越好。測量這些底切值并將其稱為“刻蝕因子”。刻蝕工藝的所有步驟都是連接在一起的，而刻蝕的質(zhì)量可以是刻蝕溶液或所用抗蝕劑的結(jié)果?；瘜W(xué)刻蝕使用有很多有害的化學(xué)物質(zhì)，而且不是環(huán)保的刻蝕工藝。使用等離子體進(jìn)行刻蝕：等離子體刻蝕是20世紀(jì)80年代流行的一種環(huán)境友好刻蝕方法，用來從PCB孔洞中除去膠渣。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：用氧真空等離子體設(shè)備滑移導(dǎo)管表面，側(cè)向附著力導(dǎo)管接觸角為84-deg；降低到67度；且無損傷基團(tuán)發(fā)生，說明氧真空等離子體設(shè)備是一種合理有效的表面處理措施。。

側(cè)向附著力系數(shù)

固定刀片,刀片的空氣電容器基本上是調(diào)整到最大時(shí)重疊;如果有照明的現(xiàn)象,還需要確認(rèn)刀片是否燒壞了,如燃燒可以燒毀后磨的位置使用,此外,葉片之間的距離太近,5.還可能出現(xiàn)打光現(xiàn)象;當(dāng)電容無法調(diào)節(jié)時(shí)，可以打開匹配器進(jìn)行手動控制和調(diào)節(jié)，同時(shí)確認(rèn)葉片電容是否能正常旋轉(zhuǎn)。要注意電機(jī)和空氣電容的驅(qū)動部分是否不能轉(zhuǎn)動。如有卡滯，需及時(shí)報(bào)告維修。如果齒輪和軸之間有滑移，可以先簡單地自行處理。。

plasma等離子處理等離子體刻蝕硅的研究：在微電子工藝中，硅刻蝕工藝應(yīng)用廣泛，如：器件隔離溝槽或者高密度DRAMIC中的垂直電容的制作MEMS等。目前，單晶硅的刻蝕主要有兩種方法：一種是濕法，濕法刻蝕方法因其自身的某些局限，例如大量使用有毒化學(xué)用品，操作不夠安全，側(cè)向滲透以及由于浸脹導(dǎo)致粘附性不良而產(chǎn)生鉆蝕使得分辨率下降，已逐漸被干法刻蝕所代替。

在比較大的受熱區(qū)，由于溫升，材料繼續(xù)熱膨脹，而相鄰區(qū)域的冷材料需要限制膨脹，所以整個受熱區(qū)因溫升而產(chǎn)生很大的壓應(yīng)力，但材料的屈服應(yīng)力降低，受熱區(qū)的材料不減少當(dāng)僅發(fā)生壓塑性應(yīng)變而受熱區(qū)材料變得不穩(wěn)定時(shí)，板材背面的彎曲變形增大，壓塑性區(qū)進(jìn)一步增大。因此，此時(shí)板材背面材料的壓縮塑性應(yīng)變值遠(yuǎn)大于正面，結(jié)果板材背面的橫向收縮率大于的正面。側(cè)向和反向彎曲變形大。

后面的主側(cè)墻(MainSpacer)會在后續(xù)的高濃度源漏區(qū)注入中，使LDD區(qū)得以保留，同時(shí)形成自對準(zhǔn)的源漏區(qū)。為了形成側(cè)墻，首先要在柵極上沉積薄膜。假設(shè)薄膜沉積的厚度為a， 柵極高度為b，則柵極邊上的側(cè)墻高度為a+b。我們的側(cè)墻蝕刻是回刻，而且是各向異性的蝕刻，可以等效地理解為只有向下蝕刻，沒有或很少的側(cè)向蝕刻，所以如果蝕刻量為厚度a，則柵極側(cè)壁將只剩下側(cè)墻殘留，這就是我們想要的側(cè)墻了。

滑移率與側(cè)向附著力的關(guān)系

等離子體清洗機(jī)/等離子體處理器/等離子體處理設(shè)備廣泛應(yīng)用于等離子體清洗、等離子體刻蝕、隔離膠、等離子體涂層、等離子體灰化、等離子體處理和等離子體表面處理等領(lǐng)域。等離子清洗機(jī)設(shè)備在各行業(yè)中的應(yīng)用1，側(cè)向附著力手機(jī)蓋在手機(jī)蓋板生產(chǎn)中，手機(jī)蓋板需要多層涂層。鍍膜前，為保證高附著力和良好的鍍膜效果，等離子清洗機(jī)明顯提高了蓋板的表面活性和鍍膜壽命。

不干膠標(biāo)簽技術(shù)正在成為一種日益有效的保護(hù)技術(shù)。制藥行業(yè)的目標(biāo)是更安全地生產(chǎn)紙盒化學(xué)品。等離子預(yù)處理后，滑移率與側(cè)向附著力的關(guān)系標(biāo)簽可以貼在小直徑、窄半徑，甚至關(guān)鍵區(qū)域的開始和結(jié)束標(biāo)簽上，牢牢固定，不被完全篡改。等離子清洗機(jī)的機(jī)電一體化設(shè)計(jì)非常簡單。封閉式預(yù)處理作為標(biāo)簽的一部分直接或間接進(jìn)行。因此，表面處理是工藝的一部分，為產(chǎn)品和客戶提供安全保障。長期的研發(fā)使提高數(shù)碼印刷油墨對玻璃UV固化的附著力成為可能。