* 引線鍵合前：芯片貼附在基板上并在高溫下固化后，引線框架plasma表面改性其上存在的污染物可能含有細小顆粒和氧化物。這些污染物會導致焊接引線、芯片和基板發(fā)生物理和化學反應。粘合強度不足或不足，粘合強度不足。引線鍵合前的等離子清洗顯著提高了其表面活性，提高了鍵合強度和鍵合線拉伸均勻性。

肉眼看不見的有機污染物會降低親水性，引線框架plasma表面改性但事實并非如此。它促進銀膠和芯片粘貼，也可能導致貼片過程中的芯片粘連等問題。等離子清洗設備的表面處理引入后，既可以形成清潔的表面，也可以使基材表面粗糙，達到提高親水性，減少銀膠的使用，節(jié)省成本和提高質量的產品。在引線鍵合之前，芯片與基板貼合后，在固化過程中很可能會引入一些顆粒或氧化物。質量很差。一個 LED 中有無數(shù)的電線。如果一根線沒有焊接牢固，整個 LED 就會報廢。

等離子體在氣流的作用下到達待處理物體表面，引線框架plasma表面改性從而實現(xiàn)對三維物體表面的修飾。等離子表面處理技術是一種經濟、安全、徹底的清洗方法。從處理過的基材表面去除污染物，而不影響主體材料的特性。等離子廣泛應用于電路板行業(yè)，如PCB清洗前的三防漆和封裝時的引線框清洗。等離子處理與其他表面清潔技術相比具有顯著優(yōu)勢。廣泛用于金屬、塑料、玻璃、陶瓷等材料。

芯片在耦合前經過等離子清洗設備處理后很有可能提高支架表面粗糙度和親水性，引線框架等離子體蝕刻促進銀膠流平和修補，同時減少銀膠用量。此外，等離子清洗技術顯著提高了引線連接前的表面活性，提高了粘合強度和拉力的均勻性，延長了產品的使用壽命。更完美。等離子預處理和清潔效果為印刷電路板行業(yè)（如 PCB）中的涂層操作創(chuàng)造了理想的表面條件。

引線框架plasma表面改性

提高各種材料和產品的穩(wěn)定性和壽命。等離子表面處理設備的近距離發(fā)光會在身體上引起灼燒感。因此，等離子束在加工材料時，不能接觸到材料。一般直噴等離子噴嘴與噴嘴的距離為50mm，旋轉等離子噴嘴與噴嘴的距離為30mm（視設備類型而定）。為確保設備安全運行，請使用 AC220V/380V 電源并妥善接地，確保氣源干燥、清潔。引線框架塑料封裝類型仍占微電子 IC 封裝空間的 80% 以上。

銅引線框架的分層會導致 IC 封裝后的密封性能較差，同時會導致長期脫氣。它還影響集成 IC 鍵合和引線鍵合的質量，確保超清潔引線框架。是保證IC封裝的穩(wěn)定性和良率的關鍵。采用等離子表面處理裝置進行處理?？梢詫σ€框架表面進行超級清潔和活化。與常規(guī)濕法清洗相比，成品率大大提高，且無廢水排放，可降低化學品采購成本。 ..陶瓷產品的 IC 封裝通常在粘合、封蓋和密封區(qū)域使用金屬漿料印刷電路板。

例：從H2+e-→2H*+eH*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O反應方程式可以看出，氫等離子體可以去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。 .化學反應。物理清洗：表面反應以物理反應為主的等離子清洗。也稱為濺射蝕刻 (SPE)。例：Ar + e- → Ar ++ 2e-Ar ++ 污染 → 揮發(fā)性污染 Ar + 在自偏壓或外加偏壓的作用下加速產生動能，然后一般去除氧化物。清潔工件用于。

活化狀態(tài)；第二級O2、CF4為原始氣體，混合后產生0、F等離子體，與丙烯酸、PI、FR4、玻璃纖維等反應，達到去污目的。..第 3 階段 使用 O2 作為原始氣體，產生的等離子體和反應殘留物清潔孔壁。在等離子清洗過程中，除等離子化學反應外，等離子火焰處理裝置的等離子還與材料表面發(fā)生物理反應。等離子體粒子敲除材料表面上的原子或附著在材料表面上的原子。這有利于清潔和蝕刻反應。

引線框架等離子體蝕刻

等離子專用清洗工藝主要是基于等離子濺射和蝕刻所帶來的物理和化學變化。在物理濺射過程中，引線框架plasma表面改性等離子體中高能離子的脈沖表面撞擊會導致表面原子的位移，在某些情況下，會導致表面下原子的位移，因此物理濺射不是選擇性的。在化學蝕刻過程中，等離子體中的反應基團可以與表面原子和分子發(fā)生反應，并抽出產生的揮發(fā)物。

但隨著粒徑減小和比表面積增大，引線框架plasma表面改性超細AP粉體吸濕性強，易聚集，嚴重影響其作為推進劑的應用。用硝酸纖維素（NC）包覆AP降低了改性超細AP的吸濕性，有效解決了超細AP的聚集問題。超細AP采用復合改性劑進行改性，具有優(yōu)良的抗固結效果，有望應用于工業(yè)。聚苯乙烯（PS）和十二氟庚基三甲氧基硅烷（FAS）包覆高氯酸銨，得到AP/PS/FAS復合膜。AP的吸濕性。