我知道的是：表面激光合金化、噴丸、滲碳、氮化、鍍膜，氮化硅的親水性其實(shí)你要說得更詳細(xì)一些，比如金屬表面處理使金屬強(qiáng)化方法或者耐腐蝕性增強(qiáng)等等，因?yàn)榻饘俦砻嫣幚淼姆椒ê芏?，有的涉及物理變化，有的涉及化學(xué)變化，它們的金屬表面處理目的是不一樣的。如果用單指等離子表面處理器處理，如果是各種塑料，一般可以保持40小時(shí)左右，效果比較理想。特定的塑料制品需要特定的差異；如果是金屬，可以保存40多個(gè)小時(shí)，但效果會(huì)越來越弱。。
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因此，氮化硅的親水性如果發(fā)現(xiàn)等離子體表面墊圈的側(cè)壁蝕刻的主蝕刻步驟的終點(diǎn)監(jiān)測被暴露，則立即停止蝕刻并切換過蝕刻步驟。主刻蝕步驟中殘留的氮化硅膜通過過刻蝕步驟被刻蝕去除，同時(shí)停止在氧化硅膜上，以防止損壞下面的硅襯底。過蝕刻步驟通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 氣體的組合。 CH3F 氣體分解為 CHx 和 F. + H。等離子體中的撞擊離子會(huì)破壞 Si-O 鍵。
由于氮化硅的流動(dòng)性不如氧化物，氮化硅的親水性蝕刻難度較大。等離子體表面處理機(jī)可以解決蝕刻的困難。等離子體蝕刻是通過化學(xué)或物理作用，或物理和化學(xué)作用的結(jié)合來進(jìn)行的。在反應(yīng)過程中,通過反應(yīng)室中的氣體輝光放電,從而形成含離子等離子體,電子、自由基等活性物質(zhì),這些物質(zhì)由于其擴(kuò)散特征,將吸附介質(zhì)的表面,與介質(zhì)的表面原子的化學(xué)反應(yīng),揮發(fā)物。
2021年GaN技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么？對(duì)此，氮化硅的親水性GaN系統(tǒng)做出了四個(gè)預(yù)測： ■ 預(yù)測一：充電器和適配器領(lǐng)域回顧2020年，今年是氮化鎵充電器之年。在售后市場方面，有用于手機(jī)、平板電腦和手持游戲設(shè)備的各種充電器和適配器。隨著多端口適配器的興起，到 2021 年，OEM 將越來越多地采用 GaN 充電器。
