等離子刻蝕是干法刻蝕的一般形式，干法表面改性工藝可以分為其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，產(chǎn)生的離子和高能電子組成的氣體被釋放出來，形成等離子體或離子。當被電場加速時，它會釋放足夠的力來粘附材料并蝕刻表面，并結(jié)合表面的驅(qū)動力。等離子清洗實際上只是等離子蝕刻過程中的一個小現(xiàn)象。干法蝕刻加工設備包括反應室、電源、真空等部件。移動部件被送到反應室，這些氣體被引入等離子體并被替換。等離子體蝕刻工藝本質(zhì)上是一種反應等離子體工藝。
氣態(tài)是物質(zhì)三種狀態(tài)中能量最高的狀態(tài)。當給氣態(tài)物質(zhì)更多的能量（例如加熱）時，干法表面改性工藝可以分為就會形成等離子體。當達到等離子體狀態(tài)時，氣態(tài)分子分解成大量高反應性粒子。這些裂變不是永久性的。當用于形成等離子體的能量耗盡時，各種粒子重新組合形成原始氣體分子。自1960年代以來，低溫等離子處理技術(shù)已應用于化學合成、薄膜制備、表面處理和精細化工等領域。我們還開發(fā)和應用了等離子聚合、等離子等全干法工藝技術(shù)。蝕刻、等離子灰化和等離子陽極氧化。
設備特點：1、高效廢氣凈化：本設備能高效去除揮發(fā)性有機物（VOC）、無機物、硫化氫、氨氣、硫醇類等主要污染物.2、無需添加任何物質(zhì)：低溫等離子體廢氣處理是一種干法凈化過程，干法表面改性工藝是一種全新的凈化過程，運行過程無需添加任何添加劑，不產(chǎn)生廢水、廢渣，不會導致二次污染。3、低溫等離子設備自動化程度高,工藝簡潔,操作簡單,方便.無需專人看管，遇故障自動停機報警。
（二）等離子刻蝕機等離子處理該處理方法為干法工藝，干法表面改性工藝操作簡單，處理質(zhì)量穩(wěn)定可靠，適合批量生產(chǎn)。而化學處理的萘鈉處理液合成困難，毒性大，保質(zhì)期短，需要根據(jù)生產(chǎn)情況配制，對安全性（安全性）要求很高。因此，目前PTFE表面活化處理多采用等離子刻蝕機進行，操作方便，明顯減少廢水處理。。
干法表面改性工藝可以分為
在相同的處理效果下，管道可以運行得更快。具有外部信號輸入接口。與其他設備無縫同步，環(huán)境適應性廣。外部電網(wǎng)不穩(wěn)定，可在高溫、高污染環(huán)境下穩(wěn)定運行。 MTBF高達8000小時，穩(wěn)定性達到德國同類產(chǎn)品水平。操作簡單，安裝方便。電子工業(yè)中的清潔是一個廣泛的概念，包括與去除污染物相關(guān)的過程，但清潔方法因?qū)ο蠖悺Ｄ壳?，電子行業(yè)廣泛使用的物理和化學清洗方法大致可分為濕法清洗和干法清洗兩種。濕法清洗廣泛用于電子行業(yè)的生產(chǎn)中。
但目前的技術(shù)大多采用化學清洗工藝，需要溶劑，不環(huán)保，且易發(fā)生氫脆。去污性能不理想，去污速度慢，易影響鋁箔的力學性能。鋰電池正負極片由涂覆在金屬條上的鋰電池正負極材料制成。在涂覆電極材料時，需要清洗金屬帶。金屬帶一般是鋁或銅。原來的濕式乙醇清洗容易損壞鋰電池的其他部分。干法等離子體處理可以合理有效地解決上述問題。。
CMOS工藝中PLASMA損傷WAT方法的研究： 硅晶圓穿透檢測是在半導體晶圓完成所有制造工藝后，對硅晶圓上的各種檢測結(jié)構(gòu)進行電檢測，是對產(chǎn)品質(zhì)量的一種反映。這是產(chǎn)品入庫前的最終質(zhì)量檢驗。隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，等離子工藝已廣泛應用于集成電路的制造。離子注入、干法蝕刻、干法剝離、紫外線輻射、膜沉積等會損壞 PLASMA。傳統(tǒng)的 WAT 結(jié)構(gòu)是不可能的。會被監(jiān)控。這可能導致組件過早失效。
等離子清洗工藝是一種完全的干法清洗技術(shù)，不會產(chǎn)生化學污染，也讓加工過程避免了二次污染，具有等離子清洗機的主要形式:液晶顯示在低溫等離子體的作用下，材料表面的一些化學鍵發(fā)生斷裂，這些產(chǎn)物在抽汲過程中，使材料表面變得不均勻，粗糙度增大，表面能提高，粘附效果大大提高。LCD和觸摸面板裝配:即在LCD和TP的裝配中，許多工序需要等離子清洗機加工工藝的配合，如:1.等離子清洗機的加工工藝。
干法表面改性工藝可以分為
目前在電子工業(yè)中已廣泛應用的物理化學清洗方法，干法表面改性工藝從運行方式來看，大致可分為兩種：濕法清洗與干法清洗。濕洗已經(jīng)在電子工業(yè)生產(chǎn)中廣泛應用。清洗主要依靠物理和化學（溶劑）的作用。如在化學活性劑吸附、浸透、溶解、離散作用下輔以超聲波、噴淋、旋轉(zhuǎn)、沸騰、蒸汽、搖動等物理作用下去除污漬，這些方法清洗作用和應用范圍各有不同，清洗效果也有一定差別。
