八、太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域玻璃基板的粗化、陽(yáng)極的表面改性、保護(hù)膜涂覆前處理,等離子蝕刻各向異性也都離不開等離子清洗設(shè)備的處理工藝。九、纖維紡織行業(yè)電池?zé)o紡布隔膜、水處理用中空纖維膜、各種天然纖維及合成纖維可以使用等離子清洗設(shè)備進(jìn)行處理,用于提高和改善材料的親水性、滲透性、印染性等多種性能。
1.涂裝前對(duì)鋁合金表皮進(jìn)行等離子處理。航空制造業(yè)使用的蒙皮一般采用鋁合金材料。為提高密封性能,等離子蝕刻各向異性 蝕刻選擇比蓋的受壓部分一般采用丁腈制成。橡膠硫化工藝制造的圍裙。但橡膠硫化后,粘合劑溢出,沾染漆面,漆面附著力變差,涂漆后易脫落。涂裝前等離子清洗機(jī)處理提高了涂層的附著力,符合航空涂裝的標(biāo)準(zhǔn)要求。 2.航天電連接器在航空航天領(lǐng)域,對(duì)電連接器的要求往往非常嚴(yán)格,絕緣體與密封件之間的耦合作用很低,容易發(fā)生泄漏,影響其耐壓值。我有。
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4 等離子清洗在LED封裝工藝中的應(yīng)用LED封裝工藝直接影響LED產(chǎn)品的成品率,等離子蝕刻各向異性而封裝工藝中出現(xiàn)問(wèn)題的罪魁禍?zhǔn)?9%來(lái)源于支架、芯片與基板上的顆粒污染物、氧化物及環(huán)氧樹脂等污染物,如何去除這些污染物一直是人們關(guān)注的問(wèn)題,等離子清洗作為最近幾年發(fā)展起來(lái)的清洗工藝為這些問(wèn)題提供了經(jīng)濟(jì)有效且無(wú)環(huán)境污染的解決方案。
等離子蝕刻各向異性
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當(dāng)一種氣體被一種或多種附加氣體滲透時(shí),這些元素的組合可以產(chǎn)生所需的蝕刻和清潔效果。在等離子體中的離子或高活性原子的幫助下,表面污染物要么被敲除,要么形成揮發(fā)性氣體,然后通過(guò)真空系統(tǒng)將其去除以實(shí)現(xiàn)清潔表面。目的。在等離子體形成過(guò)程中,在高頻電場(chǎng)作用下處于低壓狀態(tài)的氧氣、氮?dú)?、甲烷和水蒸氣等氣體分子,在輝光放電的情況下可能會(huì)分解為加速的原子和分子。
汽車對(duì)密封材料的要求越來(lái)越高,對(duì)密封膠條的需求也越來(lái)越大。新的技術(shù),新的材料不斷出現(xiàn),所以加工技術(shù)也會(huì)越來(lái)越復(fù)雜。近幾年來(lái),隨著熱塑性彈性體技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,TPO、TPV等新型熱塑性彈性體材料在汽車密封條上的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。該材料兼具彈性體和塑料的優(yōu)異性能,既方便加工,又可循環(huán)再用,正逐步取代EPDM制品。普通門封條由共擠實(shí)芯托架和海綿膠管封條組成,海綿部分受車體門框壓縮后具有密封功能。
碳纖維是制作高性能纖維增強(qiáng)聚合物基復(fù)合材料經(jīng)常使用的一種無(wú)機(jī)纖維.碳纖維具有一系列的優(yōu)異性能,如低密度,高強(qiáng)度,高模量,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕和良好的機(jī)械減震性能等.然而,碳纖維的表面為非極性的高度結(jié)晶的石墨基板結(jié)構(gòu),呈現(xiàn)較高的反應(yīng)惰性.當(dāng)碳纖維與樹脂結(jié)合形成復(fù)合材料后,兩者界面結(jié)合強(qiáng)度較弱,復(fù)合材料的優(yōu)異性能難以得到發(fā)揮.正是由于界面對(duì)碳纖維復(fù)合材料性能的發(fā)揮起著很重要的作用,所以,通過(guò)對(duì)碳纖維表面進(jìn)行處理,提高界面粘接強(qiáng)度,對(duì)改善碳纖維復(fù)合材料力學(xué)性能具有重要意義. 碳纖維表面處理的方法有等離子體處理,氣相氧化,液相氧化,電化學(xué)氧化,偶聯(lián)劑涂層等.常壓等離子體處理具有清潔環(huán)保,省時(shí)高(效),對(duì)纖維損傷小,適于連續(xù)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
等離子蝕刻各向異性
等離子清洗機(jī)廠家會(huì)根據(jù)使用單位產(chǎn)線的特定要求,等離子蝕刻各向異性將系統(tǒng)和產(chǎn)線相匹配,無(wú)論是新線還是舊線改造,都可以滿足。因?yàn)樘幚懋a(chǎn)品的不同和工藝差異性,我們無(wú)法給產(chǎn)線速度一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)答案。
且后者偏壓相對(duì)較低以提供對(duì)SiO2足夠的選擇比。業(yè)界主流的一對(duì) SiO2/Si3N4層的總厚度不超過(guò)15nm,等離子蝕刻各向異性遠(yuǎn)小于數(shù)百納米的臺(tái)階寬度。SiO2/Si3N4蝕刻對(duì)于側(cè)墻角度要求相對(duì)較為寬松,無(wú)須接近垂直。這有利于蝕刻工藝調(diào)整以有限滿足對(duì)于 SiO2以及光阻的選擇比要求。2.等離子表面處理機(jī)等離子清洗機(jī)溝道通孔蝕刻溝道通孔結(jié)構(gòu)制備由掩膜層蝕刻與溝道通孔蝕刻兩道工藝組成。